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高真空三溫區(qū)CVD系統OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道質量流量控制器和高真空機組組成的CVD系統，其爐管直徑為4″，Z高溫度可達1200℃，極限真空可達 10-5 torr，混氣系統可對1-9種氣體進行精確的混合，然后導入管式爐內部，可用來研究氣體環(huán)境對材料的影響。

帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調整三個溫區(qū)而建立不同梯度的熱場，可進行退火、擴散、在不同氣氛中燒結樣品及CVD等實驗。

4路質子混氣管式PECVD系統是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性，這些具有反應活性的中性物質很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學反應沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。

1700℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統GSL-1700X-F3LV是由單溫區(qū)管式爐、三路浮子混氣系統和雙旋片式真空泵組成，Z高工作溫度可達1700℃，混氣系統可以對三種氣體進行精確的混氣，真空度可達5×10-2 torr。

1700℃兩通道混氣高真空CVD系統GSL-1700X-4-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質子混氣系統和高真空機組組成，Z高工作溫度可達1600℃，混氣系統可以對兩種氣體進行精確的混氣，然后導入管式爐內部，本系統極限真空度可達10-5 torr。

該系統為球形脈沖激光沉積系統（PLD）工藝研發(fā)設備。脈沖激光沉積 （Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。