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簡(jiǎn)要描述：鈣鈦礦鍍膜機(jī)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機(jī)薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作，廣泛應(yīng)用于有機(jī)、無(wú)機(jī)、鈣鈦礦薄膜太陽(yáng)能電池、OLED等研究領(lǐng)域。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-05-08訪 問(wèn) 量：2028產(chǎn)品分類(lèi)CLASSIFICATION
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詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 1-5萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
鈣鈦礦鍍膜機(jī)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機(jī)薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作，廣泛應(yīng)用于有機(jī)、無(wú)機(jī)、鈣鈦礦薄膜太陽(yáng)能電池、OLED等研究領(lǐng)域。鈣鈦礦鍍膜機(jī)工作過(guò)程中樣品位于真空室上方，蒸發(fā)源位于真空室下方，向上蒸發(fā)鍍膜，且蒸發(fā)源帶有擋板裝置，防止蒸發(fā)源被污染。
| 產(chǎn)品名稱(chēng) | 鈣鈦礦鍍膜機(jī) |
| 主要特點(diǎn) | 1、樣品位于真空室上方，蒸發(fā)源位于真空室下方，向上蒸發(fā)鍍膜，且蒸發(fā)源帶有擋板裝置。 2、設(shè)有烘烤加熱功能，可在鍍膜過(guò)程中加熱樣品，烘烤加熱溫度可達(dá)180℃。 3、設(shè)有斷水、斷電連鎖保護(hù)報(bào)警裝置及防誤操作保護(hù)報(bào)警裝置。 |
| 技術(shù)參數(shù) | 1、鍍膜室：不銹鋼材料，采用方形前后開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板，腔室尺寸約為600mm× 450mm×450mm 2、真空排氣系統(tǒng)：采用分子泵+機(jī)械泵系統(tǒng) 3、真空度：鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa 4、系統(tǒng)漏率：≤1×10-7Pa 5、蒸發(fā)源：安裝在真空室的下底上；有機(jī)蒸發(fā)源4個(gè)、容積5ml，2臺(tái)蒸發(fā)電源，可測(cè)溫、 控溫，加熱溫度400℃，功率0.5KW；無(wú)機(jī)蒸發(fā)源4套、容積5ml，2臺(tái)蒸發(fā)電 源，加熱電流300A，功率3.2KW；蒸發(fā)源擋板采用自動(dòng)磁力控制方式控制其開(kāi) 啟 6、樣品架：安裝在真空室的上蓋上，可放置Ø120mm的樣品、載玻片，旋轉(zhuǎn)速度0-30rpm 7、加熱溫度：RT-180℃，測(cè)溫、控溫 8、膜厚控制儀：石英晶振膜厚控制儀，膜厚測(cè)量范圍0-999999Å |
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